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擊穿區(qū)：壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時，其導電屬于隧道擊穿電子電導機理(Rb與Rg相當)，其伏安特性呈優(yōu)異的非線性電導特性，即：

通過壓敏電阻器的電流                   與配方和工藝有關的常數(shù)

I=CVα其中

壓敏電阻器兩端的電壓                  α為非線性系數(shù)，一般大于30

由上式可見，在擊穿區(qū)，壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化，壓敏電阻器正是用這一特性來抑制過電壓幅值和吸收或?qū)Φ蒯尫胚^電壓引起的浪涌能量。

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上升區(qū)：當過電壓很大，使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導特性，即：I=V/Rg 上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線性關系，壓敏電阻器在該區(qū)域已經(jīng)劣化，

失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據(jù)壓敏電阻器的導電機理，其對過電壓的響應速度很快，如帶引線式和專用電極產(chǎn)品，一般響應時間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當，壓敏電阻器對線路中出現(xiàn)的瞬態(tài)過電壓有優(yōu)良的抑制作用，從而達到保護電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

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