壓敏電阻采購,就選源林電子,自有工廠
ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu):
晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體,晶界為絕緣體,類似邊界層電容器,另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同,兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛,雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。

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擊穿區(qū):壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時,其導(dǎo)電屬于隧道擊穿電子電導(dǎo)機理(Rb與Rg相當),其伏安特性呈優(yōu)異的非線性電導(dǎo)特性,即:
通過壓敏電阻器的電流 與配方和工藝有關(guān)的常數(shù)
I=CVα其中
壓敏電阻器兩端的電壓 α為非線性系數(shù),一般大于30
由上式可見,在擊穿區(qū),壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化,壓敏電阻器正是用這一特性來抑制過電壓幅值和吸收或?qū)Φ蒯尫胚^電壓引起的浪涌能量。

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