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上升區(qū)：當過電壓很大，使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導特性，即：I=V/Rg 上升區(qū)電流與電壓幾乎呈線性關系，壓敏電阻器在該區(qū)域已經劣化，

失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據壓敏電阻器的導電機理，其對過電壓的響應速度很快，如帶引線式和專用電極產品，一般響應時間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當，壓敏電阻器對線路中出現的瞬態(tài)過電壓有優(yōu)良的抑制作用，從而達到保護電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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