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壓敏電阻交流作用下的老化機理
交流作用下。在正半周時,假設(shè)右側(cè)為正極性,電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上,使右側(cè)的Zni向晶界遷移,而左側(cè)所加電壓很低,Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側(cè),使左側(cè)Zni向晶界遷移,右側(cè)這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理:
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS為浪涌電壓,Zsourc為浪涌電壓源的阻抗,如傳輸線的電阻或線圈的電感等,ZSIOV
為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估,因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低頻時大得多。

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