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壓敏電壓和電阻器厚度的關系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應用于過電壓保護、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護電氣電子設備因受雷電閃擊及其他瞬態電磁干擾造成傳導過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統或設備運行中必然存在老化劣化現象,

故必須對其進行定期檢測,以防止老化劣化產品仍工作在系統或設備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數都存在拐點效應,即只有當MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現顯著變化;而在這個拐點之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標準的要求[8],這就給檢測結果帶來不確定性。某個產品自身已經老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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