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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負(fù)一價和負(fù)二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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低電場區(qū)域的漏電流

漏電流包括阻性和容性兩部分，交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大，阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數(shù)在-10-4/℃—-10-3/℃之間，計算公式如下：

T=dU1mA/(U1mAdT)

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