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非線性區(qū)域：

中電場區(qū)為非線性區(qū)域，也是壓敏電阻器應用中重要的區(qū)域，導電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應J = J0exp(-λ/E)，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度，算出的a值低于50。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩(wěn)電壓應力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進展。

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