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    氧化鋅壓敏電阻的缺陷:

    ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo,負一價和負二價的

    VZn ,正一價的DZn。VZn主要在晶界處,VZn為受主態,使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘,約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態,是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻,提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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    壓敏電阻交流作用下的老化機理

    交流作用下。在正半周時,假設右側為正極性,電壓主要加在右側的耗盡層上,使右側的Zni向晶界遷移,而左側所加電壓很低,Zn

    i向晶粒內遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側,使左側Zni向晶界遷移,右側這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內遷移不大??偟慕Y果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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