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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時(shí)，它兩端電壓的峰值。一般來說，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對(duì)通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波形。

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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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