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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優異的一種。近年來，由于電子設備向小型化、多功能化發展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領域內對壓敏電阻器的應用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學專業理論知識與實際相結合，經文獻查閱，我們設計了添加劑的量依次適當增加的四組平行實驗來進行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結構、研究現狀及壓敏電阻的性能參數，并詳細解釋了其導電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導得出，燒結溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結條件。

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ZnO陶瓷具有的非線性電壓-電流現象早是在二十世紀六十年代由蘇聯人M.S.Kossman和E.G.Pettsold發現。在氧化鋅壓敏陶瓷中其主要成分是ZnO,根據要求不同而加入不同的改性氧化物。1967年7月，日本松下電器公司的無線電實驗室的松岡道雄在研究金屬電極—氧化鋅陶瓷界面時，無意中發現氧化鋅（ZnO）加氧化鉍（Bi2O3）復合陶瓷具有非線性的的伏安特性。這種復合陶瓷的非線性系數可以達到50左右，伏安特性類似兩只反并聯的齊納二極管，通流能力不亞于碳化硅（SiC） 材料，臨界擊穿電壓可以通過改變元件尺寸方便的加以調節，而且這種性能優異的壓敏元件通過簡單的陶瓷工藝就能制造出來，其性能價格比極高。1975年以前,ZnO

基壓敏陶瓷的瞬態過壓保護器的應用主要在高壓方面，近20年來,隨著電子計算機、家用電器、通訊技術等方面的發展，對保證這些系統正常運行的低壓變阻器的需求量在不斷增加。這些產品要求有較低的標稱電壓，陡峭的非線性I-V特性及較大的通流量。目前，日本、美國在制造低壓壓敏電阻方面處于上層地位，如美國GE公司、日本的松下公司，他們制造的產品標稱電壓可降低到幾伏,非線性系數α值可達到30～40,耐通流量也很大。我國這種產品的研制與生產還比較落后，標稱電壓低于20V的產品只有個別廠家可以生產，且性能不夠穩定，還不能大批量生產，而國內對這種低壓產品的需求量卻與日俱增。

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