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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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ZnO壓敏電阻已發(fā)明三十多年，世界范圍眾多科研工作者無論在配方的探討、優(yōu)化還是微觀形成機理的檢測和分析領(lǐng)域都進行卓有成效的工作，摸索了一些適合工業(yè)化生產(chǎn)的配方和具體工藝路線。對配方的進行了細致的實驗摸索，旨在提高宏觀電性能如：通流能力、非線形系數(shù)、能量耐受能力和電壓梯度等等。如：氧化鋅壓敏電阻中加入少量稀土氧化物改善電壓梯度；研究Sb/Bi比例和氧分壓等等對性能影響。德國西門子公司研制的用溶液蒸發(fā)分解技術(shù)(EDS)制備多組分的ZnO壓敏電阻瓷料的新工藝。新興的納米材料學給許多交叉學科的發(fā)展提供了新的思路和方法，在納米制備科學中納米粉體的制備由于其顯著的應(yīng)用前景發(fā)展得較快，國內(nèi)外從事壓敏電阻研究的學者，為了獲得均勻的前驅(qū)粉體，將這種新技術(shù)引入氧化鋅壓敏電阻器制造工藝中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，國內(nèi)廠家也進行了積極探索，主要集中在二個方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物摻雜、添加MgO、化學均相共沉以及溶鹽熱分解等。（2）制備工藝探索，攪拌球磨和壓濾機等。但相互協(xié)作研究相比而言較少，與科研機構(gòu)合作也不是很多。

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