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壓敏電阻交流作用下的老化機理
交流作用下。在正半周時,假設(shè)右側(cè)為正極性,壓敏電阻,電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上,使右側(cè)的Zni向晶界遷移,而左側(cè)所加電壓很低,Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側(cè),使左側(cè)Zni向晶界遷移,右側(cè)這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。
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靜態(tài)電容量(PF)
靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
響應時間τ
IEEE定義的壓敏電阻的響應時間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性,而是由測試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測試連接線,以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的,安規(guī)壓敏電阻,根據(jù)這一定義,對8/20 μs標準雷電流波或TS>8 μs的電流波,壓敏電阻的響應時間τ=0。
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