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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構(gòu)成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學(xué)計(jì)量　ｎ　型半導(dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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zno壓敏電阻是半導(dǎo)體電子陶瓷器件，主要功能是 識(shí)別和限制瞬態(tài)過電壓，反復(fù)使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線性的，與穩(wěn)壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過電壓在兩個(gè)極性上 相等，于是呈現(xiàn)的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象兩個(gè)背對(duì)背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導(dǎo)體工業(yè)和電力工業(yè)都有應(yīng)用。 ＺｎＯ　壓敏電阻是用半導(dǎo)體　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等經(jīng)過混合、壓型和燒 結(jié)工藝而制成。得到的產(chǎn)品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性　Ｉ－Ｕ　特性。 ＺｎＯ　壓敏電阻的基本特性包括電學(xué)特性、物理特性和 化學(xué)特性。微觀結(jié)構(gòu)是體現(xiàn)這些性質(zhì)的媒介，是　ＺｎＯ　壓敏 電阻的基礎(chǔ)。

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