壓敏電阻_抗浪涌壓敏電阻_免費寄樣，量大從優(yōu)：

熱敏電阻,NTC熱敏電阻,貼片熱敏電阻

壓敏電阻采購，就選源林電子，更專業(yè)

合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設(shè)計是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結(jié)時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作，得到了許多有價值的結(jié)果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團隊，廠家直銷！

壓敏電阻采購，就選源林電子，型號豐富

壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時，位于非線性的起點電壓正好在I-V曲線的的拐點上，該電壓確定為元件的啟動電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時測量的，用U1mA來表示。對于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱電流測試者，標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測定的電場強度E0.5表示，對于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個值更接近非線性的起始點。3. 漏電流IL壓敏電阻器進入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對漏電流的測量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時流過元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時，漏電流較大；反之，漏電流較小。可以通過配方的調(diào)整及制造工藝的改善來減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來源是很重要的，為了促進ZnO晶粒的長大，低壓元件中通常會添加大量的TiO2，過量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測試時容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動電壓偏離較大。測試元件的非線性時，我們希望漏電流以通過晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

國內(nèi)壓敏電阻廠家_壓敏電阻_源林電子(查看)由東莞市源林電子科技有限公司提供。東莞市源林電子科技有限公司（www.www.worldgov.com.cn）實力雄厚，信譽可靠，在廣東 東莞 的其它等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。公司精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念將引領(lǐng)源林電子和您攜手步入輝煌，共創(chuàng)美好未來！

• 上一條：5d壓敏電阻_東莞為勤5d壓敏電阻_源林電子
• 下一條：壓敏電阻|安規(guī)壓敏電阻|免費寄樣，量大從優(yōu)(多圖)