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預(yù)擊穿區(qū):是指在此區(qū)域內(nèi),施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓,其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機理。因此,壓敏電阻器相當(dāng)于一個10MΩ以上的絕緣電阻,這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級,可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外,雜質(zhì)元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國內(nèi)外研究人員進(jìn)行了大量研究工作,取得了大量的成果。晶體中雜質(zhì)的進(jìn)入或缺陷的存在,將破壞部分正常晶格的平移對稱性,產(chǎn)生以雜質(zhì)離子或缺陷為中心的局域振動模式,從而形成新的能級,這些新的能級一般位于禁帶之內(nèi),具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用,這就是所謂的陷阱效應(yīng),一般把具有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷能級稱為陷阱,相應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對電子形成的一種束縛或禁錮狀態(tài)。從晶體能帶理論來解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導(dǎo)帶彎曲或不連續(xù),從而在導(dǎo)帶中形成的勢阱;從晶體結(jié)構(gòu)來看,電子陷阱是指某些晶格點或晶體具有結(jié)構(gòu)缺陷,這種缺陷通常帶
有一定量的正電荷,因而能夠束縛自由電子,正如一般電子為原子所束縛的情況,電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級。
ZnO作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料,具有本征電導(dǎo)特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結(jié)構(gòu)中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下,可脫離陷阱束縛,產(chǎn)生各種豐富的物理效應(yīng),在電場下的V-I非線性就是壓敏性能的表現(xiàn)。

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