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上升區：當過電壓很大，使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導特性，即：I=V/Rg 上升區電流與電壓幾乎呈線性關系，壓敏電阻器在該區域已經劣化，

失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據壓敏電阻器的導電機理，其對過電壓的響應速度很快，如帶引線式和專用電極產品，一般響應時間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當，壓敏電阻器對線路中出現的瞬態過電壓有優良的抑制作用，從而達到保護電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

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為了觀察燒結成品晶粒生長情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對成品性能的影響，對制得的ZnO陶瓷成品斷口進行觀測。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現多樣性生長趨勢。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數量大量減少，尺寸生長比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現正多邊形或圓形生長趨勢、晶粒生長堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結構上看晶粒形貌規整，結構均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過多時，ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過多時會產生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進一步長大。

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