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合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實(shí)驗(yàn)配方的設(shè)計(jì)是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性，進(jìn)而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對(duì)本征缺陷,尤其是對(duì)氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過(guò)程中，影響燒結(jié)時(shí)晶粒的生長(zhǎng)、液相在冷卻時(shí)的去潤(rùn)濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對(duì)低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作，得到了許多有價(jià)值的結(jié)果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長(zhǎng)，Be、Ti、Sn則可促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)。

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能量吸收能力：

能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到；Vmax可從I-V特性曲線上讀取，對(duì)應(yīng)Imax時(shí)的電壓值；tmax可用矩形法求得，數(shù)據(jù)是用2ms方波，加100次脈沖，脈沖間隔120s，|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3，也有報(bào)道超過(guò)1000J/cm3的

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