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ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，雜質(zhì)元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國(guó)內(nèi)外研究人員進(jìn)行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶體中雜質(zhì)的進(jìn)入或缺陷的存在，將破壞部分正常晶格的平移對(duì)稱性，產(chǎn)生以雜質(zhì)離子或缺陷為中心的局域振動(dòng)模式，從而形成新的能級(jí)，這些新的能級(jí)一般位于禁帶之內(nèi)，具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用，這就是所謂的陷阱效應(yīng)，一般把具有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷能級(jí)稱為陷阱，相應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類(lèi)具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對(duì)電子形成的一種束縛或禁錮狀態(tài)。從晶體能帶理論來(lái)解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導(dǎo)帶彎曲或不連續(xù)，從而在導(dǎo)帶中形成的勢(shì)阱；從晶體結(jié)構(gòu)來(lái)看，電子陷阱是指某些晶格點(diǎn)或晶體具有結(jié)構(gòu)缺陷，這種缺陷通常帶

有一定量的正電荷，因而能夠束縛自由電子，正如一般電子為原子所束縛的情況，電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級(jí)。

ZnO作為一種寬禁帶的半導(dǎo)體材料,具有本征電導(dǎo)特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結(jié)構(gòu)中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下，可脫離陷阱束縛，產(chǎn)生各種豐富的物理效應(yīng)，在電場(chǎng)下的V-I非線性就是壓敏性能的表現(xiàn)。

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介電特性：

壓敏電阻器類(lèi)似一邊界層電容器，視在介電常數(shù)很高。介電常數(shù)和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關(guān)，在30-106°C的溫度范圍內(nèi)，介電常數(shù)隨溫度升高而增大；介電常數(shù)隨頻率升高而下降；電容在低電場(chǎng)區(qū)域隨所加電壓的增加而降低，進(jìn)入中電場(chǎng)區(qū)域隨電壓增大而急劇上升。

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