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上升區：當過電壓很大，使得通過壓敏電阻器的電流大于約100A/cm2時，壓敏電阻器的伏安特性主要由晶粒電阻的伏安特性來決定。此時壓敏電阻器的伏安特性呈線性電導特性，即：I=V/Rg 上升區電流與電壓幾乎呈線性關系，壓敏電阻器在該區域已經劣化，

失去了其抑制過電壓、吸收或釋放浪涌的能量等特性。根據壓敏電阻器的導電機理，其對過電壓的響應速度很快，如帶引線式和專用電極產品，一般響應時間小于25納秒。因此只要選擇和使用得當，壓敏電阻器對線路中出現的瞬態過電壓有優良的抑制作用，從而達到保護電路中其它元件免遭過電壓破壞的目的。

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ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，雜質元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國內外研究人員進行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶體中雜質的進入或缺陷的存在，將破壞部分正常晶格的平移對稱性，產生以雜質離子或缺陷為中心的局域振動模式，從而形成新的能級，這些新的能級一般位于禁帶之內，具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用，這就是所謂的陷阱效應，一般把具有顯著陷阱效應的雜質或缺陷能級稱為陷阱，相應的雜質或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對電子形成的一種束縛或禁錮狀態。從晶體能帶理論來解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導帶彎曲或不連續，從而在導帶中形成的勢阱；從晶體結構來看，電子陷阱是指某些晶格點或晶體具有結構缺陷，這種缺陷通常帶

有一定量的正電荷，因而能夠束縛自由電子，正如一般電子為原子所束縛的情況，電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級。

ZnO作為一種寬禁帶的半導體材料,具有本征電導特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結構中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下，可脫離陷阱束縛，產生各種豐富的物理效應，在電場下的V-I非線性就是壓敏性能的表現。

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