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掃描電子顯微鏡（簡稱掃描電鏡，SEM）是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同，掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子（被入射電子轟擊出來的樣品核外電子）、背散射電子（被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子）或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號。現以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子，以其交叉斑作為電子源，經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成

具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產生二次電子發射（以及其他物理信號），二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號，經視頻放大后輸入到顯像管柵極，調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關，在30-106°C的溫度范圍內，介電常數隨溫度升高而增大；介電常數隨頻率升高而下降；電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。

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