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氧化鋅壓敏電阻器的參數選擇

根據被保護電源電壓選擇壓敏電阻器的規定電流下的電壓V1mA。一般選擇原則為：

對于直流回路：V1mA≥2.0VDC

對于交流回路：V1mA≥2.2V有效值

如果電器設備耐壓水平Vo較低，而浪涌能量又比較大，則可選擇壓敏電壓V1mA較低、片徑較大的壓敏電阻器；如果Vo較高，則可選擇壓敏電壓V1mA較高的壓敏電阻器，這樣既可以保護電器設備，又能延長壓敏電阻使用壽命。

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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結構，獲取優良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結構和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經作了很多研究工作，得到了許多有價值的結果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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