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合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)，獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實(shí)驗(yàn)配方的設(shè)計(jì)是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性，進(jìn)而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對(duì)本征缺陷,尤其是對(duì)氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過(guò)程中，影響燒結(jié)時(shí)晶粒的生長(zhǎng)、液相在冷卻時(shí)的去潤(rùn)濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止，人們對(duì)低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作，得到了許多有價(jià)值的結(jié)果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數(shù)，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長(zhǎng)，Be、Ti、Sn則可促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)。

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壓敏電阻的特點(diǎn)是當(dāng)加在它上面的電壓低于它的閥值'UN'時(shí)，流過(guò)它的電流極小，相當(dāng)于一只關(guān)死的閥門(mén)，當(dāng)電壓超過(guò)UN時(shí)，流過(guò)它的電流激增，相當(dāng)于閥門(mén)打開(kāi)。利用這一功能，可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過(guò)電壓，保護(hù)電路免受過(guò)電壓的損害。例如：

現(xiàn)在我們家用的彩電的電源電路中就使用了氧化鋅壓敏電阻，這里使用的壓敏電阻的閥值電壓約為270V，當(dāng)電源電壓小于270V時(shí)（正常值為220V）它相當(dāng)于不導(dǎo)通，而當(dāng)電源異常，短時(shí)超過(guò)270V時(shí)，它就導(dǎo)通，將電壓限制在270V。

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