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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯或并聯時C值的變化如下：

a）串聯時電流不變，電壓增大n倍，這時C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯時電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結構，獲取優良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一，各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結構和晶界特性，進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中，影響燒結時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態。到目前為止，人們對低壓化及摻雜改性方面己經作了很多研究工作，得到了許多有價值的結果，如Co、Mn

、Sb等可改善非線性指數，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生長，Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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