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東莞市源林電子科技有限公司
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    為了觀察燒結(jié)成品晶粒生長情況,氣孔率,致密性等,分析元素的摻雜等對(duì)成品性能的影響,對(duì)制得的ZnO陶瓷成品斷口進(jìn)行觀測(cè)。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章,即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒,其中以小尺寸晶粒居多;(2)晶粒形貌呈現(xiàn)多樣性生長趨勢(shì)。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出:(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

    ~15um,且小尺寸晶粒數(shù)量大量減少,尺寸生長比較均勻;(2)晶粒形貌大多呈現(xiàn)正多邊形或圓形生長趨勢(shì)、晶粒生長堆積緊密;總之,摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結(jié)構(gòu)上看晶粒形貌規(guī)整,結(jié)構(gòu)均勻、致密,晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙;圖晶界出現(xiàn)了大量液相熔融,且晶界較寬,而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限;相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻,出現(xiàn)極大和極小顆粒。總之,隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大,但加入量過多時(shí),ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會(huì)使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大,但摻雜量過多時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進(jìn)一步長大。

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    暫態(tài)過電壓破壞,這是指較強(qiáng)的暫態(tài)過電壓使電阻體穿孔,導(dǎo)致更大的電流而高熱起火。整個(gè)過程在較短時(shí)間內(nèi)發(fā)生,以至電阻體上設(shè)置的熱熔接點(diǎn)來不及熔斷。在三相電源保護(hù)中,N-PE線之間的壓敏電阻器燒壞起火的事故概率較高,多數(shù)是屬于這一種情況。相應(yīng)的對(duì)策集中在壓敏電阻損壞后不起火。一些壓敏電阻的應(yīng)用技術(shù)資料中,推薦與壓敏電阻串聯(lián)電流熔絲(保險(xiǎn)絲)進(jìn)行保護(hù)。

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