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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結構分析發現，形成的四個主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用，而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現出在電性上絕 緣的三維網絡。 燒結形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學計量　ｎ　型半導 體。進入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態。相關的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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連續工作電壓MCOV

連續工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應用時能長期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA，或產品在85℃下，正常工作1000h，施加的直流電壓；交流電壓的值為60%~65%U1mA，或產品在85℃下，正常工作1000h，施加的交流電壓。

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統和信息系統中電涌防護的主要設施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經受電涌沖擊以后,其電氣特性應返回到初始狀態。然而在運行過程中,由于經受諸如電應力、機械應力等各種應力的作用,壓敏電阻會出現性能劣化和老化現象,這就降低了壓敏電阻電涌防護的能力。研究人員采用了多種測量及診斷裝置來研究壓敏電阻的老化機理及檢測金屬氧化物壓敏電阻內部的狀態[1～2]。一般經常采用的方法是測量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來對壓敏電阻的電氣性能進行分析判斷。但是這些測試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無法為判斷壓敏電阻的性能狀態提供可靠的判據。

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