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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數(shù)很高。介電常數(shù)和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關(guān)，在30-106°C的溫度范圍內(nèi)，介電常數(shù)隨溫度升高而增大；介電常數(shù)隨頻率升高而下降；電容在低電場區(qū)域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區(qū)域隨電壓增大而急劇上升。

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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團隊，廠家直銷！

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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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