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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，型號(hào)豐富

壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對(duì)ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，品類(lèi)豐富

ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu)，開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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能量吸收能力：

能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到；Vmax可從I-V特性曲線上讀取，對(duì)應(yīng)Imax時(shí)的電壓值；tmax可用矩形法求得，數(shù)據(jù)是用2ms方波，加100次脈沖，脈沖間隔120s，|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3，也有報(bào)道超過(guò)1000J/cm3的

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