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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側為正極性，電壓主要加在右側的耗盡層上，使右側的Zni向晶界遷移，而左側所加電壓很低，Zn

i向晶粒內遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側，使左側Zni向晶界遷移，右側這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯或并聯時C值的變化如下：

a）串聯時電流不變，電壓增大n倍，這時C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯時電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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靜態電容量（PF）

靜態電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

響應時間τ

IEEE定義的壓敏電阻的響應時間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測試連接線，以及它們所構成的磁環路等外部原因造成的，根據這一定義，對8/20 μs標準雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應時間τ＝0。

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