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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數(shù)很高。介電常數(shù)和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關(guān)，在30-106°C的溫度范圍內(nèi)，介電常數(shù)隨溫度升高而增大；介電常數(shù)隨頻率升高而下降；電容在低電場區(qū)域隨所加電壓的增加而降低，進入中電場區(qū)域隨電壓增大而急劇上升。

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壓敏電阻沖擊電流作用下的老化機理

沖擊電流作用下主要是熱老化。能量迅速注入電阻片，溫度升高很多，使離子的能量大為增加，遷移力增大，使反偏壓側(cè)的Zni，Bi3+等向晶界遷移。

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