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電壓抑制能力：

ZnO壓敏電阻器的電壓抑制能力保護級別PL=V2/V1或殘壓比=Umax/U1mAo。V2為給定大電流下的電壓，V1為給定漏電流下的電壓，

Umax為沖擊電流流過時加在壓敏電阻器上的峰值電壓。

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壓敏電阻直流作用下的老化機理

直流作用下。反偏壓側的Zni向晶界遷移，中和了部分VZn，使表面受主態密度下降，勢壘降低，阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對稱，是因為測試電壓極性如與老化時加的電壓一致，電壓主要加在正極性側的耗盡層上，而這一側可遷移的填隙鋅離子已不多；如極性相反，則電壓主要加在另一側的耗盡層上，而這側有大量的填隙鋅離子，所以阻性電流大。

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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯或并聯時C值的變化如下：

a）串聯時電流不變，電壓增大n倍，這時C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯時電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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