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預(yù)擊穿區(qū)：是指在此區(qū)域內(nèi)，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機(jī)理。因此，壓敏電阻器相當(dāng)于一個(gè)10MΩ以上的絕緣電阻，這時(shí)通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體，晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài)，這樣每一微觀單元是一個(gè)背靠背肖特基勢壘，整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。

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