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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導(dǎo)體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質(zhì)組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質(zhì)而呈N型半導(dǎo)體，晶界物質(zhì)中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài)，這樣每一微觀單元是一個(gè)背靠背肖特基勢(shì)壘，整個(gè)陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過(guò)電壓保護(hù)、浪涌吸收、過(guò)電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過(guò)電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對(duì)其進(jìn)行定期檢測(cè),以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測(cè)方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個(gè)參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會(huì)出現(xiàn)顯著變化;而在這個(gè)拐點(diǎn)之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測(cè)結(jié)果帶來(lái)不確定性。某個(gè)產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時(shí)更換,但U1mA和Ileakage檢測(cè)值仍然合格。

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