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壓敏電阻沖擊電流作用下的老化機理

沖擊電流作用下主要是熱老化。能量迅速注入電阻片，溫度升高很多，使離子的能量大為增加，遷移力增大，使反偏壓側(cè)的Zni，Bi3+等向晶界遷移。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時所對應的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標準，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點的一個參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產(chǎn)品為0.1mA）直流電流通過時，產(chǎn)品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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      限制電壓比

      限制電壓比是指在通流能力實驗中通過特定電流時加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現(xiàn)了壓敏電阻器在大電流通過時的非線性特性，限制電壓比越小，越能起到保護電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞，即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流，限制電壓比越小，分流作用就越明顯，保護特性就越好。

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